《制造变革时代：半导体工艺技术驱动的晶圆级与板级封装解决方案》

   半那拓 

   日本爱发科株式会社先进技术研究所    

演讲摘要：

为实现智能化社会，人工智能驱动的信息与通信技术已成为至关重要的基础设施。通过云端、雾端与边 缘计算的协同架构，该系统显著提升了数据处理效率与实时性，为人类生活与商业活动各领域带来革新 性变革。 作为实现先进AI的核心组件，AI模块需依托尖端半导体制造技术以实现低延时（<1ms）与低功耗特性。 为此，除通过遵循摩尔定律的传统微缩技术提升芯片性能外，基于高密度集成的先进封装技术对AI模块 的能效提升至关重要。然而，AI模块的演进也带来三维结构复杂化导致的良率下降、成本攀升及功耗增 加等挑战。 爱发科持续开发创新制造解决方案，通过基板封装、2.5D中介层与3D-IC技术（涵盖硅通孔TSV及混 合键合等工艺）实现异质集成。为助力AI模块降本增效，公司在保持晶圆级封装（WLP）质量标准基 础上，着力开发板级封装（PLP）中段制程技术。本次演讲将重点阐述爱发科通过等离子刻蚀/灰化及物 理气相沉积（PVD）溅射技术实现高密度互连的异质Chiplet集成方案。 

演讲人简介： 

半那拓博士于2017年加入爱发科株式会社。毕业于东京工业大学，获工学博士学位，主攻无机 材料开发方向。长期从事高灵敏度氢探测器、合金与氧化物半导体材料研发，以及氧化物半导体薄膜晶 体管（TFT）器件开发工作。现任爱发科先端技术研究所高级经理，专注于先进封装技术与功率半导体 领域，主导包括溅射设备、刻蚀设备在内的半导体制造装备研发工作。