《面向高性能计算与 AI 应用的 PLP 新一轮技术浪潮》
多喜川 良 教授
日本九州大学 教授
演讲摘要：
异构集成与先进封装技术是下一代光子、电子及 MEMS 系统发展的关键支撑技术。芯片
级和晶圆级键合是实现此类集成的重要基础，其中低温固态键合技术对于提升系统功能、
实现器件微型化以及降低功耗具有显著优势。表面活化键合（SAB）与等离子体活化键合
技术的发展，大幅拓展了可集成材料的范围。针对 InP 等 III-V 族半导体、电光材料以及 压电材料的芯片级和晶圆级键合技术，已被广泛研究并应用于不同材料平台上的异构集成
。此外，这些低温键合技术能够在较低热预算条件下实现多功能层堆叠，从而促进三维异
构集成的发展。
本报告将介绍基于 SAB 的室温直接键合及中间层键合技术，并探讨其在 III-V 族光子器
件和 LiNbO₃ 射频光子器件异构集成与封装中的应用。首先，将介绍利用金属凸块或金属
薄膜，在室温条件下将 III-V 族激光二极管和 LiNbO₃ 调制器芯片集成至硅平台的方法，该 方法有望实现光子芯片的被动对准与表面贴装。随后，将介绍面向异构光子晶圆的 III-V
族半导体与 LiNbO₃ 室温晶圆键合技术，并讨论所形成键合界面的特性。最后，将介绍
LiNbO₃ 薄膜芯片的室温转移键合技术，以及空气/LiNbO₃ 薄膜/空气结构的实现方法，这些技术为异构集成与先进封装提供了重要支撑。相关研究成果展示了室温 SAB 技术作为高
密度异构光电子集成通用平台的巨大潜力。
演讲人简介：
多喜川 良教授于2012年获得东京大学博士学位。2012年至2013年在日本产业技术综合研究所（AIST）担任研究员；2013年加入九州大学，担任助理教授。2008年至2009年期间
，曾作为访问研究员在德国 Fraunhofer IZM 从事研究工作。2023年至2024年期间，担任比利时 imec 访问副教授。自2026年起，担任九州大学教授。其当前研究方向主要包括面向未来光子与电子系统的低温键合异构集成技术及先进封装技术。