《基于微泵和Cu-Cu混合键合的玻璃芯基板倒装芯片》

    刘汉诚 

   中国台湾欣兴电子股份有限公司 科学家

演讲摘要：

本次讲座将重点研究玻璃基板封装衬底上的两类倒装芯片技术问题，第一类研究采用微凸块互连的玻璃基板倒装芯片，第二类则探讨采用铜-铜混合键合（Cu-Cu hybrid bonding）技术的玻璃基板倒装芯片。前者适用于高性能应用领域，后者则面向超高性能应用场景。在这两种技术方案中，玻璃基板的正反两面均设有两层积层结构：1、微凸块倒装芯片方案：介电层采用光敏介电材料（PID），厚度为5微米，金属层采用电化学沉积铜（ECD Cu）工艺，厚度为3微米，焊盘间距为50微米，为进行对比分析，本研究同时考察了采用有机基板衬底的相同微凸块结构。2、铜-铜混合键合倒装芯片方案：介电层采用等离子增强化学气相沉积（PECVD）二氧化硅，厚度为1.5微米；金属层采用铜双大马士革工艺，厚度为1.5微米；铜焊盘间距为10微米。本研究的一个重要发现是指出了业界普遍存在的一个认知误区，玻璃基板衬底的热膨胀系数（CTE）并非如通常认为的那样与硅芯片接近，基于这一发现，本讲座将提出相应的技术改进建议。

演讲人简介： 

刘汉诚在半导体封装领域拥有 40 余年的研发与制造经验，发表了超过 535 篇同行评审论文（其中385 篇为第一作者），获得 52 项美国授权专利及申请（31 项为第一发明人），并撰写了24 部专业教材。 他当选为 IEEE 院士、IMAPS 院士和 ASME 院士，长期活跃于产业界、学术界及行业协会的会议与论坛，致力于贡献专业见解、汲取新知并分享经验。