《Cu-Cu混合键合的最新进展和趋势》
刘汉诚
中国台湾欣兴电子股份有限公司 科学家
演讲摘要：
本演讲简要介绍了Cu-Cu混合键合的最新进展和趋势。重点介绍了混合键合的基础知识、D2W、W2W
和重构晶圆的比较、键合强度测量、混合键合模拟，以及一些采用Cu-Cu混合键合的产品，例如互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器、堆叠在TSV处理器上的存储器以及连接中央处理器(CPU)和图形
处理器(GPU)的硅桥。此外，演讲还将简要介绍未来的产品，例如高带宽存储器(HBM)以及与3D单片
NAND闪存类似的3D单片DRAM。演讲还将提出一些研发主题，并提供一些建议。
演讲人简介：
刘汉诚在半导体封装领域拥有 40 余年的研发与制造经验，发表了超过 535 篇同行评审论文（其中385
篇为第一作者），获得 52 项美国授权专利及申请（31 项为第一发明人），并撰写了24 部专业教材。
他当选为 IEEE 院士、IMAPS 院士和 ASME 院士，长期活跃于产业界、学术界及行业协会的会议与论坛，致力于贡献专业见解、汲取新知并分享经验。