《混合键合作为未来应用的关键技术》
Viorel Dragoi
奥地利EVG公司 首席科学家
演讲摘要：
过去十年来混合晶圆间键合技术因其在晶圆级互连制造中的优势而备受关注。该工艺在表面处理方面
极具挑战性，因为基板必须同时适应两种键合工艺（电介质-电介质低温熔融键合和位于键合焊盘级的
Cu-Cu热压键合）。键合表面的制造必须考虑特定的形貌（例如，相对于电介质表面的金属凹槽在个位数纳米以内，电介质
表面具有极低的微粗糙度（小于0.5纳米）等），并且在直径300毫米的晶圆上保持极高的均匀性。键
合工艺必须确保整个晶圆的高对准精度（亚微米级），并在 COS 热预算（<400℃）内进行低温加工。
键合工艺结束后，两个键合元件中的其中一个必须减薄：如果基板准备不按规范进行，或者键合工艺执
行不当，晶圆上的结构就会变形，使后续工艺更加困难、耗时并增加成本。因此，基板质量和精确的键
合工艺控制至关重要。
本文将概述混合键合的主要方面。本文将回顾该技术的主要规格及其面临的一些主要挑战，并分析它们
对工艺结果的影响。此外，本文还将回顾工艺设备方面的主要挑战。此外，本文还将强调采用新的计量
和研究方法的重要性。