报告8

混合键合技术-8

《混合键合互连表界面调控研究》

  金仁喜 

  中国科学院微电子研究所 研究员


演讲摘要:

混合键合(HybridBonding)作为先进封装与三维集成的核心技术,通过介质与金属的同步直接键合, 实现芯片间的高密度互连,为高性能计算、人工智能芯片以及高带宽存储器(HBM)等应用提供关键支 撑。随着键合节距进入亚微米尺度,界面质量已成为决定互连可靠性与电学性能的关键因素,如何通过 界面特性的精准调控实现高质量互连成为当前研究重点之一。本报告将梳理混合键合表界面研究的最新 进展,重点聚焦新型互连材料开发、表界面特性表征与调控以及键合机理解析。同时,还将探讨如何借 助先进表征技术监测工艺过程中的界面演变历程,为混合键合表界面质量优化提供理论支撑。 

演讲人简介:

金仁喜,中国科学院微电子研究所研究员、博士生导师。2016年获东北师范大学博士学位,先后在北 京大学和美国圣母大学从事博士后研究,并曾任海外知名企业研发部高级工程师,2023年入选国家级 青年人才计划,主要研究方向为芯片三维堆叠高密互连技术。迄今在PNAS、JACS、ACSNano等国际 期刊上发表论文50余篇,主持国家自然科学基金面上项目等多项项目。