《待定》

    Thiago Moura

   Besi Austria 先进封装工艺经理

演讲摘要：

随着人工智能（AI）和机器学习对更高密度互连需求的不断推动，业界对于多种互连技术的需求日益增长。目前，混合键合已在高产量制造（HVM）中实现9微米及以下间距的量产应用，而热压键合仍然是小于25微米间距场景下的可行解决方案。

然而，随着铜柱间距不断缩小，TCB在实际应用中面临一系列挑战。例如，当焊料被挤出时，可能导致键合过程中出现焊料桥接；如果翘曲控制不足或加热不均，也可能出现开路。另一个关键难题在于，如何在芯片与基板间距小于8微米、铜柱密度极高的情况下，有效清除助焊剂残留。因此，无助焊剂热压键合被视为实现25微米以下TCB互连的关键推动技术。

本次报告将介绍为实现这一目标而在芯片键合设备中所采用的多项设计，包括用于无助焊剂环境下操作的关键布局，同时展示当今最先进的气体消耗指标，这一参数对投资回报率（ROI）具有重要影响。此外，报告还将对比多种实现无助焊剂键合的方法。

设备布局方面，基板与上视摄像头被设计为置于加热控制气氛腔体内，以确保最高精度并避免材料暴露于外部环境带来的影响。键合头及其自动更换机构同样位于控制气氛中，从而使异质集成操作能够平稳进行。

报告还将通过多个截面样本展示系统的对准精度与平面度，可实现亚微米级的对准能力。本次测试所采用的载体为多间距结构，包含20µm、10µm、7µm及5µm等不同间距设计，极大地考验了TCB工艺的极限性能。

最后，报告将展示通过菊链结构（daisy chain）进行的电性测试结果，用于评估互连接点的可靠性。

演讲人简介：

Thiago 拥有电气工程（微电子方向）博士学位、材料工程硕士学位以及物理学本科学位。 他在半导体封装领域拥有超过十年的经验。在加入 BESI 之前，Thiago 曾在多家应用研究机构从事表面工程、等离子工程以及封装技术方面的工作。2016 年，他加入 BESI 新加坡公司，2019 年调任至奥地利 BESI，担任高级工艺专家。目前，他担任 先进封装工艺经理 一职。在 BESI 任职期间，Thiago 曾多次前往世界各地客户现场，协助解决技术难题、推进工艺实施并不断优化流程。