《面向先进封装的临时键合技术的研究进展》

    张国平

   中国科学院深圳先进技术研究院、深圳先进电子材料国际创新研究院 副院长

演讲摘要：

随着摩尔定律趋缓，晶圆制造逼近物理极限，制造难度骤增推动了先进封装的发展。作为先进封装的关键工艺，临时键合与解键合（TBDB）技术主要用于支撑晶圆背面工艺以及薄晶圆的重构，以提高芯片的良率。TBDB材料需耐受先进封装工艺中高温、高真空及化学腐蚀等严苛条件。当前主流TBDB工艺中，激光解键合因其非接触、能量可控及高效等优势而得到广泛应用。然而，激光解键合工艺中界面分离机制及芯片防损伤策略的研究尚不充分。针对此问题，我们深入研究了临时键合材料、堆叠结构及激光参数对解键合效果的影响机制。研究成果为TBDB材料的优化设计及薄晶圆的高可靠解键合提供了关键技术支撑，有力推动了人工智能、高性能计算、硅光共封等新兴产业的发展。

演讲人简介：

张国平，研究员，博士生导师、中国科学院深圳先进技术研究院材料所副所长、深圳先进电子材料国际创新研究院副院长、集成电路材料全国重点实验室副主任、IEEE 高级会员、国家级高层次人才、广东省特支计划领军人才、中科院青促会会员、深圳市海外高层次人才。长期从事集成电路先进封装材料领域研究工作，先后承担参与国家自然科学基金、中国科学院先导项目、广东省创新科研团队、广东省重点领域研发计划、深圳市科技计划、企业横向合作等各类项目共 10 余项。发表 SCI 和 EI 收录论文共 115 篇，累计被引 2695次，H 因子 29，同时申请发明专利 70 余件，获得授权专利 30 余件（其中国际 PCT 专利 2 件）。自主研发的紫外激光解键合材料成功实现国产化规模应用，并荣获深圳市科技进步二等奖。