《基于电沉积铜微结构调控的低温互连技术》

    吴蕴雯

   上海交通大学 副教授

演讲摘要：

随着芯片集成度的不断提升，芯片内、芯片间的互连成为制约先进集成芯片性能提升的的关键。微凸点键合和硅通孔（TSV）互连是实现芯片间垂直互连的关键技术。本研究采用电沉积技术制备具有不同微观结构的铜互连结构，通过调节电沉积工艺实现了具有不同纳米孪晶结构的铜镀层制备，探讨了电沉积过程中纳米孪晶铜的形成机理。研究了不同微结构铜互连对微凸点键合界面可靠性的影响机制，揭示了不同结构铜互连键合界面微观结构演变机制。提出了面向超细节距微凸点的双层纳米孪晶键合技术，面向混合键合工艺的低温大晶粒铜铜键合技术，对推动高密度芯粒集成的发展提供技术思路。

演讲人简介：

吴蕴雯，女，上海交通大学材料学院长聘副教授，主要从事先进集成电路互连材料研究，近5年，申请人主持了国家自然科学基金面上、青年项目、上海市科委、华为产学研项目等多项，以第一作者或通讯作者在材料领域顶级期刊发表学术论文50余篇，在电子封装会议ICEPT、EDTM上发表会议论文14篇，发表集成电路互连综述论文2篇，申请专利18项，授权8项，在全国电化学大会、国际电子封装会议等会议上做邀请报告十余次，任上海电子学会理事，《电镀与精饰》编委，国际电子封装会议互连分会技术委员会委员，获中国表面工程协会科学技术贡献奖‘科研之星’，中表镀-安美特优秀青年教师奖等奖项。