《封装微系统的瞬态辐射效应》

     张国和 教授

     中国西安交通大学 微电子学院副院长

演讲摘要：

先进封装技术已成为后摩尔时代提升芯片性能的关键途径。随着封装微系统越来越多地应用于严酷环境，其瞬态辐射效应也受到越来越多关注。本报告将首先简要介绍先进封装技术引入的新材料、新工艺和新结构，以及由此带来的辐射效应问题。随后，将介绍本单位在封装微系统瞬态辐射效应领域的研究进展，包括瞬态 γ 剂量率效应、电磁脉冲效应和单粒子效应。最后，将总结影响封装微系统瞬态辐射效应的关键因素，并讨论该领域的研究发展趋势。

演讲人简介：

张国和教授担任了陕西省电子器件与高端芯片重点实验室副主任，是陕西省计算机学会嵌入式专委会副主任委员、中国科学院硅器件技术重点实验室学术委员会委员，是《西安交通大学学报》、《微电子学》、《微电子学与计算机》等多个期刊编委/青年编委，曾担任IEEE ICCS、MOS AK 2023等多个国际会议分会主席或技术委员会成员。主要从事半导体器件基础理论与集成电路设计研究，主持或参与了多项国家“核高基”重大专项、国家重点研发计划、国家自然科学基金等项目。在本领域权威期刊及学术会议上发表论文百余篇，授权发明专利30余件。获得高等教育（本科）国家级教学成果奖二等奖、陕西省教学成果奖特等奖、陕西省科学技术进步奖一等奖等重要奖项。