《混合铜键合：实现高性能三维集成的关键路径》

    Sarah Eunkyung Kim

   国立首尔科学技术大学 教授

演讲摘要：

随着半导体器件不断微缩，对更高性能的需求日益增长，先进封装技术已成为新一代系统的关键推动力量。本报告将探讨当前封装技术的发展趋势，重点介绍混合铜键合作为3D集成的关键互连解决方案。与传统键合方法相比，混合铜键合具有显著优势，包括更优异的电性能、更细的间距扩展能力以及更强的热管理能力。然而，实现高质量、高可靠性的混合铜键合，需要对表面平整度、氧化层特性、表面预处理和亲水性等多个因素进行精确控制。本次报告将介绍我们实验室近期开展的相关研究，分享在预处理开发、键合机理以及混合铜键合技术未来发展方向等方面的最新进展与见解。

演讲人简介：

Sarah E. Kim 博士现任国立首尔科学技术大学半导体工程系教授。她分别于伦斯勒理工学院（Rensselaer Polytechnic Institute）获得学士与博士学位，并在麻省理工学院（MIT）获得硕士学位。在进入学术界之前，Kim 博士曾在三星电子工作，并在英特尔担任高级工程师与技术管理职务，专注于后端金属互连（BEOL interconnect）、三维集成（3D Integration）及晶圆级封装（WLP）等领域。此外，她还曾任职于韩国科学技术研究院（KIST），担任高级研究科学家。自2007年起，Kim 博士任教于首尔科技大学，其研究方向涵盖互连集成技术与混合铜键合（Hybrid Cu Bonding）。她在职业生涯中取得了丰富成果，拥有多项美国专利，并在国际期刊与会议上发表了大量高水平论文。了解更多信息，请访问其研究室官网：https://esl.seoultech.ac.kr