《滤波器设计与工艺研究进展》

    蔡 耀

   武汉大学 副研究员

演讲摘要：

射频滤波器作为5G通信的核心器件，面临高频宽带化发展的多重挑战：薄电极电阻损耗、高Sc掺杂AlN薄膜的应力/取向控制瓶颈、材料参数与仿真模型缺失，以及封装环节的湿气渗透与机械应力问题。武汉大学研究团队通过优化AlN/ScAlN薄膜的种子层/缓冲层沉积工艺，显著提升压电晶体择优取向；基于压电理论与声-电-磁多物理场协同设计方法，提出创新性谐振器结构；同时开发芯片级/晶圆级封装技术，有效解决器件应力匹配与可靠性难题。相关成果为国产高性能滤波器提供了材料-设计-封装全链条解决方案，支撑5G/6G射频前端自主化战略需求。

演讲人简介：

蔡耀，武汉大学副研究员，主要从事压电材料设计与器件制备、射频滤波器研究。聚焦ScAlN薄膜材料机理攻关，成功解决残余应力控制难题，研制出基于ScAlN薄膜的高频率、大带宽射频滤波器芯片；以第一/通讯作者发表滤波器领域研究论文20余篇，授权滤波器设计及工艺相关发明专利30余项（涵盖异质结构设计、晶圆级封装等技术），主持国家自然科学基金、中央高校基本科研等项目。