《GaN射频前端及封装天线一体化模组研究》

    孙 博

   广东工业大学集成电路学院 副教授

演讲摘要：

面向5G毫米波通信对高功率、高效率、小型化射频前端的迫切需求，本研究围绕GaN器件、芯片、封装与天线一体化展开系统攻关。通过突破高功率密度GaN功放、宽带低噪放、低插损开关及全集成收发前端芯片等关键技术，实现GaN射频前端模组的高性能、高可靠、小型化。聚焦毫米波通信的核心瓶颈——芯片、封装与天线三者割裂带来的损耗与体积代价，提出“三位一体”协同设计新思路。通过把天线直接嵌入封装顶层，并与射频芯片共形融合，我们让信号从晶圆到空间的路径大幅缩短，既保留芯片级可扩展性，又兼顾系统级高增益与低剖面需求。后续章节将以实物展示、辐射实测和拓展方案为例，揭示这一思路如何为下一代终端打开“更小、更轻、更省”的想象空间。

演讲人简介：

孙博，博士，2008年从华南理工大学微电子专业取得学士学位。2011年从美国德克萨斯州立系统拉玛尔大学(Lamar University)电子工程专业取得硕士学位。2017年从荷兰代尔夫特理工大学(Delft University of Technology)获博士学位。2017年加入广东工业大学，从事芯片封装与可控寿命技术研究。先后主持或参与国家重点研发计划、国家自然科学基金项目5项，广东省重点研发计划项目、广东省自然科学基金5项，发表论文20余篇，申请发明专利12项。